PLASMA EQUIPMENT PORTFOLIO等离子清洗设备产品中心
依据腔体容积、射频/中频电源、行业洁净要求与产能需求选型,覆盖研发验证、小批量生产、先进封装及规模化制造。
25规格书4.0产品版本
5L–210L真空腔体覆盖范围
RF / MF射频与中频电源方案
行业专用半导体·光通信·医疗
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RECOMMENDED CONFIGURATIONS重点产品方案
从研发级通用设备、晶圆专用设备到光通信量产方案,快速定位代表性配置。
光通信专用VPS-RF110VPS-RF 110光通信行业专用真空等离子清洗机采用13.56MHz射频电容耦合CCP等离子源,低温分子级表面处理,专门针对光通信COC共晶、金丝键合、FA透镜耦合、底部填充、管壳封接前处理。可去除有机残留、纳米金属氧化层、微颗粒污染;提升AuSn共晶浸润性、降低空洞率;提升键合拉力、UV胶粘接可靠性,减少光器件耦合漂移与失效风险。 支持Ar、O₂、Ar‑H₂还原性工艺,适配陶瓷载板、光芯片、TO管座、FA光纤阵列、PCB光板等精密器件,全程低温,不损伤芯片光敏面、金镀层。
- 腔体
- 110L SUS316L
- 功率
- 射频电源 0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF40VPS-RF40是一款中小型真空等离子处理系统,广泛应用于科研院校,企业研发单位和小批量生产打样。 本设备为13.56MHz 射频 CCP 电容耦合真空等离子清洗机,腔体公称容积 40L,专项定制单层超大载台,适配单张最大尺寸500×500mm 柔性布料、清洗;广泛用于柔性基材、薄膜布料精密表面处理。
- 腔体
- 40L
- 功率
- 射频电源:13.56MHz/0-300W连续可调 自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
半导体与晶圆VPS-WPC22VPS-WPC 22 晶圆等离子清洗设备为半导体专用干式真空等离子表面处理设备,采用13.56MHz射频CCP激发方式,依托高纯工艺气体电离形成等离子体,通过物理离子轰击与化学反应协同作用,完成各类晶圆纳米级精密清洗。 设备适配硅片、碳化硅SiC、氮化镓GaN、砷化镓GaAs、MEMS、SOI绝缘层硅片,覆盖4/6/8/12英寸通用半导体晶圆、功率器件晶圆、射频外延晶圆及各类先进封装载片晶圆。
- 腔体
- 22L
- 功率
- 射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
FULL PRODUCT RANGE全部产品规格
所有参数均根据桌面“规格书4.0”整理,行业专用版本单独展示,不与通用型号混用。
25个产品版本
滚筒与粉末处理VPS-MF05RVPS-MF05R是一款旋转型真空等离子处理仪,主要用于处理各种粉末、粉体材料(尤其是纳米粉体材料),例如炭黑、碳纳米管粉末、硼粉、铝粉、铁粉、橡胶粉、聚乙烯粉末、蜡基温拌添加剂粉、催化剂粉体、云母粉、二氧化硅、高分子聚合物粉体等材料的表面活化改性。通过等离子体中高能粒子轰击粉体表面,改变了粉体表面的形貌后引入各种活性基团,同时等离子处理可以除去表面吸附的一些杂质,从而达到改善粉体亲水性,分散性,相容性,流动性,催化性等目的。 设备采用触摸屏+PLC可编程控制器,处理参数可在触摸屏上任意设定,具有手动/自动切换功能。自动操作采用"一键式",工作过程完全由计算机自动控制完成。
- 腔体
- 5L
- 功率
- 中频电源,0-600W连续可调
- 频率
- 40kHz
中频真空系列VPS-MF05VPS-MF05是一款小型真空等离子处理系统,广泛应用于科研院校、企业研发单位和小批量生产打样。设备采用进口品牌高性能旋片真空泵快速产生小于1~2Pa的真空压强,同时根据客户工艺要求,对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体,采用进口高品质等离子发生器,确保稳定产生高密度、高能量的离子。 等离子体与材料发生复杂的物理、化学反应,可实现清洗、活化、刻蚀与涂敷等多种工艺功能。设备采用触摸屏+PLC可编程控制器,处理参数可在触摸屏上任意设定,具有手动/自动切换功能。自动操作采用"一键式",工作过程完全由计算机自动控制完成。
- 腔体
- 5L
- 功率
- 中频电源,0-600W连续可调
- 频率
- 40kHz
等离子去胶VPS-MF05VPS-MF05是一款小型真空等离子处理系统,广泛应用于科研院校、企业研发单位和小批量生产打样。设备采用进口品牌高性能旋片真空泵快速产生小于1~2Pa的真空压强,同时根据客户工艺要求,对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体,采用进口高品质等离子发生器,确保稳定产生高密度、高能量的离子。 等离子体与材料发生复杂的物理、化学反应,可实现清洗、活化、刻蚀与涂敷等多种工艺功能。设备采用触摸屏+PLC可编程控制器,处理参数可在触摸屏上任意设定,具有手动/自动切换功能。自动操作采用"一键式",工作过程完全由计算机自动控制完成。
- 腔体
- 5L
- 功率
- 中频电源,0-600W连续可调
- 频率
- 40kHz
中频真空系列VPS-MF10VPS-MF10小型低压真空等离子表面处理设备,为电容耦合(CCP)真空等离子清洗系统,在低压环境下电离工艺气体产生等离子体,通过离子轰击、化学反应实现材料表面清洗、活化、刻蚀、去胶、提高表面浸润性;全程干式处理、无化学废液,低温工艺,不损伤精密元器件。放电均匀,基材温升低。
- 腔体
- 10L
- 功率
- 中频电源,0-600W连续可调
- 频率
- 40kHz
中频真空系列VPS-MF110VPS-MF110等离子清洗机由反应腔(又称真空腔)、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。 反应腔由真空室和电极组成,是等离子体反应空间,待处理物品置于反应腔内;真空系统由真空计、真空泵以及真空管路组成,负责将反应腔内的空气抽净并在工作时维持适当的真空度;放电系统为反应腔提供信号和能量,以激发反应腔内的反应气体电离形成所需要的等离子体;电控系统的作用是按照最优的工艺参数和步骤控制设备的动作过程,并维持工艺参数的稳定;进气流量控制系统主要由流量计和电磁阀门组成,其作用是精确控制反应气体的进气流量,并维持工作期间所需要的真空度。
- 腔体
- 115L
- 功率
- 中频电源0-5000W连续可调
- 频率
- 40 kHz
中频真空系列VPS-MF60VPS-MF60等离子清洗机由反应腔(又称真空腔)、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。 反应腔由真空室和电极组成,是等离子体反应空间,待处理物品置于反应腔内;真空系统由真空计、真空泵以及真空管路组成,负责将反应腔内的空气抽净并在工作时维持适当的真空度;放电系统为反应腔提供信号和能量,以激发反应腔内的反应气体电离形成所需要的等离子体;电控系统的作用是按照最优的工艺参数和步骤控制设备的动作过程,并维持工艺参数的稳定;进气流量控制系统主要由流量计和电磁阀门组成,其作用是精确控制反应气体的进气流量,并维持工作期间所需要的真空度。
- 腔体
- 60L
- 功率
- 中频电源0-3000W
- 频率
- 40kHz
射频真空系列VPS-RF05 PROVPS-RF05 PRO是一款小型真空等离子处理系统,广泛应用于科研院校,企业研发单位和小批量生产打样。设备采用进口品牌高性能旋片真空泵快速产生一个小于1-2 Pa的真空压强,同时根据客户工艺要求,对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体,采用进口高品质等离子发生器,使得通入的工艺气体产生等离子体,并确保稳定产生高密度,高能量的离子。等离子体与材料发生复杂的物理,化学反应,可以实现不同的工艺功能,比如清洗,活化,刻蚀与涂敷等。等离子态显著的特点是高均匀性辉光放电,根据不同气体发出从蓝色到深紫色的色彩可见光。 本设备采用触摸屏+PLC 可编程控制器,处理参数可以在触摸屏上任意设定,具有手动/ 自动切换功能。自动操作采用“一键式”,工作过程完全由计算机自动控制完成。手动操作由用户在手动模式界面上自行完成。
- 腔体
- 5L
- 功率
- 射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF05VPS-RF05是一款小型真空等离子处理系统,广泛应用于科研院校,企业研发单位和小批量生产打样。设备采用进口品牌高性能旋片真空泵快速产生一个小于1-2 Pa的真空压强,同时根据客户工艺要求,对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体,采用进口高品质等离子发生器,使得通入的工艺气体产生等离子体,并确保稳定产生高密度,高能量的离子。等离子体与材料发生复杂的物理,化学反应,可以实现不同的工艺功能,比如清洗,活化,刻蚀与涂敷等。等离子态显著的特点是高均匀性辉光放电,根据不同气体发出从蓝色到深紫色的色彩可见光。 本设备采用触摸屏+PLC 可编程控制器,处理参数可以在触摸屏上任意设定,具有手动/ 自动切换功能。自动操作采用“一键式”,工作过程完全由计算机自动控制完成。手动操作由用户在手动模式界面上自行完成。
- 腔体
- 5L
- 功率
- 射频电源,0-200W连续可调
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF10VPS-RF10小型低压真空等离子表面处理设备,为电容耦合(CCP)真空等离子清洗系统,在低压环境下电离工艺气体产生等离子体,通过离子轰击、化学反应实现材料表面清洗、活化、刻蚀、去胶、提高表面浸润性;全程干式处理、无化学废液,低温工艺,不损伤精密元器件。放电均匀,基材温升低。
- 腔体
- 10L
- 功率
- 射频电源,0-300W连续可调 抗干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56MHz
光通信专用VPS-RF110VPS-RF 110光通信行业专用真空等离子清洗机采用13.56MHz射频电容耦合CCP等离子源,低温分子级表面处理,专门针对光通信COC共晶、金丝键合、FA透镜耦合、底部填充、管壳封接前处理。可去除有机残留、纳米金属氧化层、微颗粒污染;提升AuSn共晶浸润性、降低空洞率;提升键合拉力、UV胶粘接可靠性,减少光器件耦合漂移与失效风险。 支持Ar、O₂、Ar‑H₂还原性工艺,适配陶瓷载板、光芯片、TO管座、FA光纤阵列、PCB光板等精密器件,全程低温,不损伤芯片光敏面、金镀层。
- 腔体
- 110L SUS316L
- 功率
- 射频电源 0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
医疗专用VPS-RF110本设备为医疗行业专用真空等离子清洗设备,严格依据医疗器械GMP洁净生产规范、生物相容性处理标准研发生产,专为医用耗材、植入式器械、微创精密器件、高分子医疗配件的精密清洗、表面活化、除菌改性定制设计。设备采用低温真空等离子干法处理技术,可在不损伤基材、不变形、不改变材料力学性能的前提下,高效去除工件表面有机残留、脱模剂、油脂、微粉尘、细菌芽孢及微观污染物,同时改善材料表面润湿性、提升粘接、喷涂、镀膜、封装结合力,消除医疗产品粘接脱层、镀膜脱落、灭菌残留、表面疏水不均等行业问题。 整机全无尘、无析出、低污染设计,适配医疗Class 100/1000/10000洁净车间量产环境,满足医疗器械无菌、高洁净、高生物安全性生产要求,是医疗精密器件预处理、后处理标准化制程核心设备。
- 腔体
- 110L SUS316L
- 功率
- 射频电源 0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
半导体与晶圆VPS-RF110本设备为半导体专用真空等离子清洗设备,专为TEC半导体制冷片封装制程定制研发,严格匹配半导体无尘产线高洁净、高精密、高稳定性生产标准。设备采用低压真空等离子体处理技术,可高效去除晶圆、制冷片基材表面的有机油污、微颗粒、氧化层、水汽残留等污染物,同时对材料表面进行物理与化学活化,显著提升TEC产品固晶、焊线、点胶工序的胶体附着力、焊线可靠性与封装密封性,彻底解决半导体微组装工艺中虚焊、脱胶、封装漏气、粘接不良等行业痛点。 设备全程低温处理、无粉尘污染、无基材损伤,适配半导体Class 10000及以上无尘车间生产环境,可无缝对接TEC半导体制冷片批量自动化量产制程。
- 腔体
- 110L SUS316L
- 功率
- 射频电源 0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF110VPS-RF110等离子清洗机由反应腔(又称真空腔)、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。 反应腔由真空室和电极组成,是等离子体反应空间,待处理物品置于反应腔内;真空系统由真空计、真空泵以及真空管路组成,负责将反应腔内的空气抽净并在工作时维持适当的真空度;放电系统为反应腔提供信号和能量,以激发反应腔内的反应气体电离形成所需要的等离子体;电控系统的作用是按照最优的工艺参数和步骤控制设备的动作过程,并维持工艺参数的稳定;进气流量控制系统主要由流量计和电磁阀门组成,其作用是精确控制反应气体的进气流量,并维持工作期间所需要的真空度。
- 腔体
- 115L
- 功率
- 射频电源:13.56MHz/0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF150VPS-RF150等离子清洗机由反应腔(又称真空腔)、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。 反应腔由真空室和电极组成,是等离子体反应空间,待处理物品置于反应腔内;真空系统由真空计、真空泵以及真空管路组成,负责将反应腔内的空气抽净并在工作时维持适当的真空度;放电系统为反应腔提供信号和能量,以激发反应腔内的反应气体电离形成所需要的等离子体;电控系统的作用是按照最优的工艺参数和步骤控制设备的动作过程,并维持工艺参数的稳定;进气流量控制系统主要由流量计和电磁阀门组成,其作用是精确控制反应气体的进气流量,并维持工作期间所需要的真空度。
- 腔体
- 150L
- 功率
- 射频电源:13.56MHz/0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF210VPS-RF210等离子清洗机由反应腔(又称真空腔)、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。 反应腔由真空室和电极组成,是等离子体反应空间,待处理物品置于反应腔内;真空系统由真空计、真空泵以及真空管路组成,负责将反应腔内的空气抽净并在工作时维持适当的真空度;放电系统为反应腔提供信号和能量,以激发反应腔内的反应气体电离形成所需要的等离子体;电控系统的作用是按照最优的工艺参数和步骤控制设备的动作过程,并维持工艺参数的稳定;进气流量控制系统主要由流量计和电磁阀门组成,其作用是精确控制反应气体的进气流量,并维持工作期间所需要的真空度。
- 腔体
- 210L
- 功率
- 射频电源:13.56MHz/0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF40VPS-RF40是一款中小型真空等离子处理系统,广泛应用于科研院校,企业研发单位和小批量生产打样。 本设备为13.56MHz 射频 CCP 电容耦合真空等离子清洗机,腔体公称容积 40L,专项定制单层超大载台,适配单张最大尺寸500×500mm 柔性布料、清洗;广泛用于柔性基材、薄膜布料精密表面处理。
- 腔体
- 40L
- 功率
- 射频电源:13.56MHz/0-300W连续可调 自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
半导体与晶圆VPS-RF60本设备为半导体专用真空等离子清洗设备,专为TEC半导体制冷片封装制程定制研发,严格匹配半导体无尘产线高洁净、高精密、高稳定性生产标准。设备采用低压真空等离子体处理技术,可高效去除晶圆、制冷片基材表面的有机油污、微颗粒、氧化层、水汽残留等污染物,同时对材料表面进行物理与化学活化,显著提升TEC产品固晶、焊线、点胶工序的胶体附着力、焊线可靠性与封装密封性,彻底解决半导体微组装工艺中虚焊、脱胶、封装漏气、粘接不良等行业痛点。 设备全程低温处理、无粉尘污染、无基材损伤,适配半导体Class 10000及以上无尘车间生产环境,可无缝对接TEC半导体制冷片批量自动化量产制程。
- 腔体
- 60L SUS316L
- 功率
- 射频电源 0-500W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RF60VPS-RF60等离子清洗机由反应腔(又称真空腔)、真空系统、放电系统、电控系统、进气流量控制系统组成。 反应腔由真空室和电极组成,是等离子体反应空间,待处理物品置于反应腔内;真空系统由真空计、真空泵以及真空管路组成,负责将反应腔内的空气抽净并在工作时维持适当的真空度;放电系统为反应腔提供信号和能量,以激发反应腔内的反应气体电离形成所需要的等离子体;电控系统的作用是按照最优的工艺参数和步骤控制设备的动作过程,并维持工艺参数的稳定;进气流量控制系统主要由流量计和电磁阀门组成,其作用是精确控制反应气体的进气流量,并维持工作期间所需要的真空度。
- 腔体
- 60L
- 功率
- 射频电源0-600W 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56MHz
光通信专用VPS-RF80VPS-RF80光通信行业专用真空等离子清洗机采用13.56MHz射频电容耦合CCP等离子源,低温分子级表面处理,专门针对光通信COC共晶、金丝键合、FA透镜耦合、底部填充、管壳封接前处理。可去除有机残留、纳米金属氧化层、微颗粒污染;提升AuSn共晶浸润性、降低空洞率;提升键合拉力、UV胶粘接可靠性,减少光器件耦合漂移与失效风险。 支持Ar、O₂、Ar‑H₂还原性工艺,适配陶瓷载板、光芯片、TO管座、FA光纤阵列、PCB光板等精密器件,全程低温,不损伤芯片光敏面、金镀层。。
- 腔体
- 80L
- 功率
- 射频电源 0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
半导体与晶圆VPS-RF80本设备为半导体专用真空等离子清洗设备,专为TEC半导体制冷片封装制程定制研发,严格匹配半导体无尘产线高洁净、高精密、高稳定性生产标准。设备采用低压真空等离子体处理技术,可高效去除晶圆、制冷片基材表面的有机油污、微颗粒、氧化层、水汽残留等污染物,同时对材料表面进行物理与化学活化,显著提升TEC产品固晶、焊线、点胶工序的胶体附着力、焊线可靠性与封装密封性,彻底解决半导体微组装工艺中虚焊、脱胶、封装漏气、粘接不良等行业痛点。 设备全程低温处理、无粉尘污染、无基材损伤,适配半导体Class 10000及以上无尘车间生产环境,可无缝对接TEC半导体制冷片批量自动化量产制程。
- 腔体
- 80L
- 功率
- 射频电源 0-1000W连续可调 抗辐射干扰自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
射频真空系列VPS-RFQ05VPS-RFQ05是一款高纯石英腔体款,专为超高洁净、无金属污染、等离子可视化观测、可使用弱腐蚀工艺气体的高端研发场景打造,区别常规不锈钢腔体机型。适用场景:高校科研实验室、新材料研发、微流控、PDMS 键合、光学元件、半导体晶圆、生物医疗器件、敏感材料表面改性、微量样品精密处理。
- 腔体
- 5L
- 功率
- 射频电源,0-300W连续可调,自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
半导体与晶圆VPS-WPC40VPS-WPC 40晶圆等离子清洗设备为半导体专用干式真空等离子表面处理设备,采用13.56MHz射频CCP激发方式,依托高纯工艺气体电离形成等离子体,通过物理离子轰击与化学反应协同作用,完成各类晶圆纳米级精密清洗。 设备适配硅片、碳化硅SiC、氮化镓GaN、砷化镓GaAs、MEMS、SOI绝缘层硅片,覆盖4/6/8/12英寸通用半导体晶圆、功率器件晶圆、射频外延晶圆及各类先进封装载片晶圆。
- 腔体
- 45L
- 功率
- 射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
半导体与晶圆VPS-WPC22VPS-WPC 22 晶圆等离子清洗设备为半导体专用干式真空等离子表面处理设备,采用13.56MHz射频CCP激发方式,依托高纯工艺气体电离形成等离子体,通过物理离子轰击与化学反应协同作用,完成各类晶圆纳米级精密清洗。 设备适配硅片、碳化硅SiC、氮化镓GaN、砷化镓GaAs、MEMS、SOI绝缘层硅片,覆盖4/6/8/12英寸通用半导体晶圆、功率器件晶圆、射频外延晶圆及各类先进封装载片晶圆。
- 腔体
- 22L
- 功率
- 射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
- 频率
- 13.56 MHz
接触角测量仪DLD-A1DLD-A1 接触角测量仪采用光学轮廓分析方法测量固体表面的润湿性能,配置手动微分滴液系统,适合材料研发、质量检验与教学实验。
- 滴液
- 0.1 μl
- 成像
- 60 fps / 300万像素
- 尺寸
- 550 × 200 × 440 mm
接触角测量仪DLD-A3DLD-A3 接触角测量仪采用软件控制精密滴液与高速工业成像,可开展静态接触角、动态润湿、表面张力及表面自由能等分析,适合研发与标准化检测。
- 滴液
- 0.01 μl
- 成像
- 300 fps / 500万像素
- 尺寸
- 650 × 215 × 650 mm
该筛选条件下暂无产品,请选择其他系列。
SELECTION GUIDE
按产能与工艺选择设备
01研发与打样
5L–10L紧凑腔体,适合科研院校、材料验证、PDMS键合和小批量工艺开发。
02中小批量生产
22L–80L多层处理,兼顾工艺均匀性、节拍与灵活配方切换。
03规模化制造
110L–210L大腔体及罗茨泵组合,面向稳定连续生产和更高处理面积。
04行业专用工艺
针对晶圆、光器件、医疗器械与去胶工艺匹配洁净真空、气路及托盘系统。
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提供材料评估、样品测试、参数匹配及自动化接口咨询。
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