跳转到主要内容
VPS-WPC40 晶圆等离子清洗机
半导体与晶圆

VPS-WPC40 晶圆等离子清洗机

VPS-WPC 40晶圆等离子清洗设备为半导体专用干式真空等离子表面处理设备,采用13.56MHz射频CCP激发方式,依托高纯工艺气体电离形成等离子体,通过物理离子轰击与化学反应协同作用,完成各类晶圆纳米级精密清洗。 设备适配硅片、碳化硅SiC、氮化镓GaN、砷化镓GaAs、MEMS、SOI绝缘层硅片,覆盖4/6/8/12英寸通用半导体晶圆、功率器件晶圆、射频外延晶圆及各类先进封装载片晶圆。

腔体容积45L
电源功率射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
发生器频率13.56 MHz
处理层数2层
TECHNICAL SPECIFICATIONS

技术参数

以下参数来自“VPS-WPC 40 晶圆真空等离子清洗机V4.0.docx”。实际交付配置可根据工艺需求定制。

发生器功率射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
发生器频率13.56 MHz
腔体容积45L
腔体尺寸400mm(L)×390mm(W) ×250(H)mm
处理层数2层
适用产品4-12寸晶圆
质量流量计0-200 SCCM
真空传感器皮拉尼真空计
气路设计有限元分析模拟均匀分布气路, 保证清洗刻蚀均匀性
气体通道配置2路工艺气路, 支持O₂/Ar/N₂/H₂等(可定制)
控制方式PLC+触摸屏(全自动/手动)
电源供应AC220V 50Hz
整机功率约1.5KW
外形尺寸650mm(L)×550mm(W) ×600mm(H)
可根据不同产品的尺寸及产能等实际需求定制设备可根据不同产品的尺寸及产能等实际需求定制设备
PROCESS MATCHING SUPPORT

让设备参数匹配您的材料与产能

提供样品评估、工艺开发、配方优化与自动化接口支持。

获取选型建议
PURCHASING GUIDE

VPS-WPC 40晶圆等离子清洗机 采购与工艺选型信息

参数来自规格书4.0;最终腔体、泵组、气路、自动化接口和交付范围以确认配置为准。

腔体尺寸400mm(L)×390mm(W) ×250(H)mm
腔体容积45L
发生器功率射频电源0-300W连续可调 自动匹配阻抗
发生器频率13.56 MHz

标准配置与可选配置

规格书中的标准项用于基础选型;真空泵、气路、工装、冷却、数据接口及自动化上下料等可选项需结合项目确认,页面不将可选项误写为标配。

适用工艺气体

可用气体与配方取决于电源、气路配置、材料和目标;氧气、氩气、氮气等必须以该型号正式配置和样品测试为准。

典型材料与应用

适用材料和行业不能只按设备名称判断。建议同时确认工件尺寸、有效装载、污染物、后续工序、目标节拍和验收指标。

按工艺问题查找方案 →

处理效果与验收

建议保留未处理对照组,并记录设备、装载、工艺条件与检测结果。接触角、达因值、附着力、清洁度、均匀性和节拍等指标按项目选择,不使用无测试条件的绝对化数据。

如何确认这个型号是否适合我的工件?

请提供材料、长宽高、单批数量、当前问题、后续工序和目标节拍,先核对有效装载与工艺窗口。

页面参数是否等同最终交付配置?

页面用于初步选型;涉及泵组、气路、工装、自动化和安全配置时,以正式技术协议和确认规格为准。

能否先做样品测试?

可以。建议同时提供未处理对照样和验收方法,以便将测试结果转化为设备选型依据。

让参数匹配材料、装载与节拍

索取对应规格资料,或先进行样品验证。