PLASMA ETCHING & RIE等离子刻蚀
利用反应性自由基与离子轰击移除材料最外层,使表面发生微观粗化或实现受控材料去除。根据工艺和电极结构,可用于一般表面刻蚀或具有方向性的反应离子刻蚀。
表面微刻蚀PTFE与POM反应离子刻蚀图形转移
ETCH
ETCHING MODES
两类常见等离子刻蚀方向
01 · 表面微刻蚀增加微观粗糙度
通过受控材料去除增加有效表面积,改善难粘材料后续印刷、胶粘和涂覆条件。
02 · 反应性刻蚀化学反应移除材料
活性粒子与目标材料反应形成挥发产物,实现选择性材料去除。
03 · 反应离子刻蚀增强方向性控制
结合离子加速与化学反应,对未被掩膜保护区域进行方向性刻蚀和图形转移。
APPLICATIONS
典型材料与应用
难粘聚合物PTFE、POM与含氟材料
用于提高表面微观粗糙度和有效接触面积,配合胶粘、印刷和涂覆验证。
半导体与晶圆薄膜及图形刻蚀
在掩膜、材料体系和设备结构配合下,用于微纳加工、先进封装和器件研究。
有机电子与微结构受控材料移除
用于聚合物薄膜、微结构和功能层的工艺开发及表面形貌调节。
刻蚀会实际移除材料,必须关注刻蚀速率、选择比、均匀性、掩膜兼容性、侧壁形貌和基材损伤,不应按普通活化工艺直接放大参数。
VALIDATION FLOW
建议刻蚀工艺验证流程
- 定义刻蚀对象材料层、厚度、掩膜、目标深度和关键尺寸
- 选择反应体系气体、功率、压力、偏压与温度控制
- 测量刻蚀结果速率、均匀性、选择比、形貌和表面损伤
- 确认重复性验证批间稳定、腔体状态与生产节拍
发布:更新:作者:深圳深光达技术团队技术审核:深光达等离子工艺团队