客户问题与传统处理的不足
芯片、基板、引线框架和塑封前界面的微量有机物或氧化层会放大空洞、分层、键合不良等风险。
单纯增加胶量、提高烘烤温度或反复使用溶剂，可能增加材料负担和过程波动，却没有解决表面污染与低表面能这一界面根因。
PROCESS SOLUTION
半导体封装清洗等离子处理方案
芯片、基板、引线框架和塑封前界面的微量有机物或氧化层会放大空洞、分层、键合不良等风险。
等离子处理机理
真空等离子体可在微结构与批量装载条件下进行表面清洁或活化，常用于点胶、引线键合、底填和塑封前。
推荐设备方向
优先评估具备稳定真空、气路控制、配方管理和批次追溯能力的真空射频或中频设备。
进入产品中心 →工艺气体选择
氩气、氧气、氢氮类工艺需结合金属、芯片钝化层和封装材料谨慎验证，并遵循气体安全要求。
VALIDATION
用样品测试建立量产依据
处理参数范围应服务于可量化验收，不在没有材料和测试条件时承诺绝对效果。
提交信息
材料、尺寸、数量与缺陷
确认目标
后续工序与验收指标
设计组合
设备、气体和对照组
样品处理
记录关键过程条件
效果检测
接触角、键合拉力、剪切力、底填空洞、分层、颗粒与器件电性能
结果复核
比较对照并确认窗口
设备建议
匹配装载量与节拍
可以直接给出固定工艺参数吗？
不能。相同材料也会因配方、污染物、结构和后续工序不同而需要不同参数，应通过对照样建立可用窗口。
如何选择真空或常压设备？
优先评估具备稳定真空、气路控制、配方管理和批次追溯能力的真空射频或中频设备。
测试时重点记录什么？
建议至少记录接触角、键合拉力、剪切力、底填空洞、分层、颗粒与器件电性能，并保留未处理对照样。