客户问题与传统处理的不足
光刻胶残留、底膜、有机污染或微结构内残胶会影响后续沉积、刻蚀、键合和电性能。
单纯增加胶量、提高烘烤温度或反复使用溶剂，可能增加材料负担和过程波动，却没有解决表面污染与低表面能这一界面根因。
PROCESS SOLUTION
等离子去胶与灰化等离子处理方案
光刻胶残留、底膜、有机污染或微结构内残胶会影响后续沉积、刻蚀、键合和电性能。
等离子处理机理
含氧等离子可将有机物转化为易排出的挥发性产物；对于特殊无机或含氟体系需采用受控工艺。
推荐设备方向
根据基片尺寸、均匀性、损伤控制和产能选择真空去胶机、射频或中频等离子设备。
进入产品中心 →工艺气体选择
氧气是有机胶灰化的常见方向；CF₄等含氟气体仅在明确材料体系、设备兼容和安全措施下评估。
VALIDATION
用样品测试建立量产依据
处理参数范围应服务于可量化验收，不在没有材料和测试条件时承诺绝对效果。
提交信息
材料、尺寸、数量与缺陷
确认目标
后续工序与验收指标
设计组合
设备、气体和对照组
样品处理
记录关键过程条件
效果检测
残留厚度、去除速率、片内均匀性、基底损伤、颗粒与后续工序良率
结果复核
比较对照并确认窗口
设备建议
匹配装载量与节拍
可以直接给出固定工艺参数吗？
不能。相同材料也会因配方、污染物、结构和后续工序不同而需要不同参数，应通过对照样建立可用窗口。
如何选择真空或常压设备？
根据基片尺寸、均匀性、损伤控制和产能选择真空去胶机、射频或中频等离子设备。
测试时重点记录什么？
建议至少记录残留厚度、去除速率、片内均匀性、基底损伤、颗粒与后续工序良率，并保留未处理对照样。