NE-PE13F与PCE-3的清洗深度差异主要源于功率密度、气体控制方式及腔体设计的不同，具体分析如下：
一、功率密度与等离子体能量差异
NE-PE13F
功率范围：100-500W(可调)，腔体容积13L。
功率密度：约7.7-38.5W/cm²(按腔体底面积估算)。
影响：高功率密度下，离子轰击能量更强，物理溅射作用显著，适合去除微米级至纳米级的顽固污染物(如光刻胶残留、金属氧化层)。
典型深度：单次处理可清除0.1-1μm深度的表面层(具体取决于材料硬度)。
PCE-3
功率范围：6.8W-18W(三档切换)，腔体容积约0.8L。
功率密度：约10.7-28.1W/cm²(按腔体底面积估算)。
影响：功率密度较低，但通过脉冲模式(如短时间高功率爆发)可实现纳米级精度控制，适合清洗超薄材料(如单晶硅片)或敏感结构(如MEMS器件)。
典型深度：单次处理可清除10-100nm深度的表面层，避免过度刻蚀。
二、气体控制与化学反应深度
NE-PE13F
气体支持：氧气/氩气混合，可调节比例。
化学作用：高功率下激发更多活性自由基(如O·、OH·)，增强氧化反应深度，适合去除深层有机污染物(如聚酰亚胺涂层)。
深度控制：通过调整气体流量与功率比例，可实现从表面活化到微米级刻蚀的调节。
PCE-3
气体支持：单气体通入(需外接气路)，通常使用氧气或氩气。
化学作用：低温运行(满功率3分钟腔体温度≤32℃)限制了化学反应速率，但脉冲模式可集中能量，实现选择性刻蚀(如仅去除表面氧化层而不损伤基材)。
深度控制：适合需要保留基材原始结构的场景(如光学镀膜前处理)。
三、腔体设计与均匀性影响
NE-PE13F
腔体材质：铝合金，耐腐蚀性强。
均匀性：大腔体设计可能导致等离子体密度分布不均，但通过旋转样品台或调整电极布局可改善，适合批量处理。
深度一致性：边缘区域与中心区域的清洗深度差异可能达10-20%。
PCE-3
腔体材质：耐热石英玻璃，透光率高。
均匀性：微型腔体设计使等离子体分布更集中，适合单件高精度处理(如单个MEMS芯片)。
深度一致性：边缘与中心差异可控制在5%以内。
