技术参数
产品概述
DLD-200C晶圆等离子去胶机适用于8英寸及以下晶圆的光刻胶去除、有机残留清理和显影后微量残胶去除（Descum）。设备在真空环境中激发工艺气体，通过活性粒子与光刻胶反应，将有机组分转化为可排出的挥发性产物，实现干法去胶与表面清洁。
设备可根据工艺需求配置CCP、ICP或远程等离子体源，并配合气体流量、腔体压力、功率、温度及处理时间控制。具体等离子源及电源配置按选定方案确认。
DLD-200C设备外观，设备外观不断升级调整，以实际出货为准。
技术参数
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 型号 | DLD-200C |
| 晶圆尺寸 | 8英寸wafer（向下兼容） |
| 晶圆厚度 | 200–1000 μm |
| 腔体材质 | 航空铝合金 |
| 卡盘温度 | 25–100℃ |
| 温度控制 | ±2℃ |
| 刻蚀速率 | 0.5–1.5 μm/min，具体速度取决于工艺 |
| 等离子发生器 | 13.56 MHz，600/1000 W |
| 外形尺寸 | 620（L）×640（W）×1300（H）mm |
| 厂务电源 | AC220V，50Hz |
| 厂务气源 | 0.3–0.6 MPa |
| 工艺气路 | MFC 2路工艺气体（可定制多路） |
| 真空测量 | 真空计 |
| 真空泵 | 干泵/油泵 |
| 控制方式 | PLC+HMI，手动/自动 |
可根据产品尺寸及产能等实际需求定制设备。表中刻蚀速率不等同于所有胶种的去胶速率，具体处理效果需结合材料、胶膜和工艺条件验证。
应用与工艺验证
光刻、刻蚀及离子注入等工序后的光刻胶去除。
整层光刻胶去除、有机残留清理及Descum。
围绕晶圆、薄膜与微器件开展等离子刻蚀及去胶工艺开发。
对于离子注入后硬化胶、厚胶及含无机成分的残留物，需通过样片试验确定工艺方案。设备选型时，应提供晶圆尺寸、厚度、胶种、前道历史、保留材料和产能要求。
设备功能特点
通过气体、功率、压力与时间的组合优化处理效果。
干法处理方式，减少湿法药液使用及后续清洗环节。
卡盘温度可控，配合PLC与HMI进行手动或自动操作。
两路MFC工艺气体控制，支持按需求定制多路气体。
依据材料和目标结构匹配工艺，支持表面清洁与微结构加工应用。
售后与技术支持
质保期限：整机提供12个月免费质保服务，射频电源、真空泵、MFC流量控制器等核心关键部件单独质保。质保期内因设备自身设计、制造缺陷引发故障，免费提供配件更换及上门维修。
上门服务响应：国内区域故障报修后2小时内技术对接，重大故障24小时抵达现场处理。
终身成本维护：质保期满后提供终身优惠维保服务，原厂配件供给，定期出具设备巡检保养方案。
技术培训服务：设备到货调试完毕后，为甲方操作人员、工艺工程师、维护人员提供操作培训，涵盖设备操作、配方调用、日常点检、简单故障排查。
远程技术支持：提供7×24小时全天候远程线上技术支援，远程参数调试、工艺优化、故障诊断，快速解决现场一般性问题。
定期回访服务：建立设备专属档案，定期主动回访设备运行工况，给出真空系统、气路、密封件、耗材周期性更换建议。
工艺迭代支撑：配合客户晶圆新产品开发，持续提供等离子工艺参数优化、气体配比、制程方案配套技术支持。
